基本信息：

姓名：陈银晖

邮箱：chenyinhui1991@163.com

地址：重庆大学A区六舍777

教育背景：

2010年9月——2014年7月 重庆大学通信工程学院集成电路设计与集成系统专业

2014年9月——至今 重庆大学通信工程学院电子科学与技术专业

课外活动：

参加全国大学生电子综合设计大赛，主要负责硬件设计 时间：2013.9

参加SRTP科训，完成“多功能录音笔系统”主要负责软件系统设计 时间： 2013.9

科研成果：

[1] Shengdong Hu,Yinhui Chen, JingjingJin, Jianlin Zhou, Feng Zhou, Zongze Chen, Ye Huang, Jun Luo, and Jian'an Wang. A Low Specific On-Resistance Power Trench MOSFET with a Buried-Interface-Drain. Superlattices and Microstructures, 2015（85）：133-138.

[2] HU Sheng-Dong, JIN Jing-Jing,CHEN Yin-Hui, JIANG Yu-Yu, CHENG Kun, ZHOU Jian-Lin, LIU Jiang-Tao, HUANG Rui, YAO Sheng-Jie. A Novel Interface-Gate Structure for SOI Power MOSFET to Reduce Specifc On-Resistance. Chinese Physics Letters, 2015, 32(9):098502-1-3.

[3] Jingjing Jin, Shengdong Hu,Yinhui Chen, Kaizhou Tan, Jun Luo, Feng Zhou, Zongze Chen, and Ye Huang. Improving Breakdown Voltage for a Novel SOI LDMOS with a Lateral Variable Doping Profile on the Top Interface of the Buried Oxide Layer. Advances in Condensed Matter Physics, 2015, Article ID 762498, 6 pages.

[4] Hu Sheng-Dong, Wu Xing-He, Zhu Zhi, Jin Jing-Jing, andChen Yin-Hui. Partial-SOI high voltage laterally double-diffused MOS with a partially buried n+-layer. Chinese Physics B, 2014, 23(6):067101-1-5

[5] Shengdong Hu, Zhi Zhu, Xinghe Wu, Jingjing Jin, andYinhui Chen. Thin silicon layer p-channel SOI/PSOI LDMOS with interface n+-islands for high voltage application. Superlattices and Microstructures，2014 (67):1–7

[6] 胡盛东,陈银晖,金晶晶,周峰,陈宗泽,黄野。一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构，2015年2月13日，中国发明专利已申请，申请号：201510076359.1。

[7] 胡盛东,金晶晶,陈银晖,朱志,武星河,李少红,阮祯臻,丁文春。一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件，2014-04-28，201410174541.6，中国发明专利已申请。

[8] 胡盛东,金晶晶,陈银晖,朱志,武星河，一种横向功率MOS高压器件。2014-04-28，201410174519.1，中国发明专利已申请。

[9] 胡盛东，陈银晖，金晶晶，朱志，武星河，雷剑梅，周喜川。一种具有界面栅的SOI功率器件结构，2013-12-03,201310572042.8，中国发明专利已申请.